Явление локального температурного уплотнения структуры микрообъемов кристаллов полупроводников

ДИПЛОМ №17
РАЗДЕЛ	физические науки
АВТОРЫ	Регель А.Р. д.ф.-м.н., Таран Ю.Н. академик НАН Украины, Глазов В.М. д.х.н., Фалькевич Э.С. д.т.н., Куцова В.З. д.т.н., Узлов К.И. к.т.н., Кольцов Б.В. к.х.н., Тимошина Г.Г. к.х.н., Зубков А.М.
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА	кристаллы, микрообъем, полупроводники, атом.
	ПРИОРИТЕТ ОТКРЫТИЯ
	8 мая 1952 г. — в части установления изменения степени направленности химической связи кристаллов полупроводников; 22 августа 1990 г. — в части экспериментального обнаружения структурных превращений при нагреве полупроводников.
	ФОРМУЛА ОТКРЫТИЯ
	Установлено неизвестное ранее явление локального температурного уплотнения структуры микрообъемов кристаллов полупроводников (на примере Si, Al, Zn, Sb), заключающееся в том, что при нагреве кристалла полупроводника в его локальных областях происходит последовательная смена упаковки атомов вплоть до плотнейшей и уменьшение степени направленности химической связи, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны и фононной структуры, сопровождающееся скачкообразным изменением физико-химических и механических свойств кристаллов полупроводников.
	ЛИТЕРАТУРА
	Заявка на открытие № А-026 от 5 апреля 1995 г. (Ассоц. авторов научн. открытий). Регель А.Р., Мокровский Н.П. О связи между изменениями плотности и электронной проводимости при плавлении веществ со структурой типа алмаза или цинковой обманки. Журнал технической физики, т. XXII, вып.8. Глазов В.М. и др. Структурные превращения при нагреве монокристаллов кремния. Журнал “Физика и техника полупроводников”, 1991, т. 25, вып. 1.